性都花花世界 BLDC开发条记8.过流保护与电流采样重心
平方运转之后，表面上电机反电动势等于电源电压性都花花世界，电机绕组上的电压等于电源电压减去反电动势等于零，然则由于存在铁损，铜损和摩擦等，反电动势不等于电源电压，是以绕组上的电压不等于零，有压降。
相电流状况：
开动起步时候，磁场莫得切割，莫得有反电动势，电机荒谬于一个电感，相电流大，一般为额定电流的3-5倍。 平方运转后，磁场被切割，有反电动势，相电流小电机电流不成太大，类比电感充足后，在磁滞回线上磁导率变小，电感变小，电流斯须增大，可能点燃元器件；而电机电枢励磁太大，转子的磁钢就会退磁，致使长久消磁，电机就不成用了。
电机退磁，电机输出功率下落（一部分挪动为热量），电机效果变小，在换取的负载下，就需要更大的输入功率。而输入功率增多，导致退磁和发烧愈加严重，最终电机损坏。
因此咱们需要监控电机的电流，主如果一个过流保护作用。
单电阻电流采样#电流荟萃分为高端采样和低端采样。
高端采样：对电压有条件，在高压所在需要停止，本钱高
低端采样：无需停止，本钱低，但戒备不成碎裂蓝本的系统阻抗
三相逆变电路中，在60°电周期内，惟有一个下管导通，另外两个欠亨电流为零。因此咱们不错把三个下桥的电流采样回路进行一个消亡。
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采纳需要戒备的是，采样电阻阻值不成太大，因为采样电阻阻值太大，压降大，影响了下桥驱动，而况功耗大，本钱高。那么什么时候有电流？性都花花世界
上桥载波为例，鄙人管通畅时候，以M1-M6通畅为例，又分为
不良少妇 PWM-on时，源是电源，电流流向为M1->U->W->M6->检流电阻->地 PWM-off时，源是绕组，电流流向为W->M6->M2体二极管->U可见，惟有PWM-on时，检流电阻上才有电流，然则相电流在PWM-off时并不为零，仅仅在减小。是以此时检流电阻并不周详齐响应相电流。
举例：
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检流电阻上电压和电流成线性相干。BLDC的方波驱动，门径上不需要开发死区。因为死区是肃穆坎坷桥纵贯，然则两两导通星型三相六状况导通格局，每两个导通相齐存在悬空相，悬空相是下一状况的导通相之一，因此有自然的死区。
当存在死区时，由于6个mosfet一齐关断，是以绕组向电源充电，以U-W为例，电流流向W->M5体二极管->电源->地->检流电阻->M2体二极管->U。然则一般死区时候很短，不错忽略。
是以，咱们只需要在PWM-ON技能对电流进行采样，也只可在PWM-ON技能采样。
单电阻检测的舛错便是无法全时检测电机电流，然则不错作念过流保护，因为只原谅高潮电流有多大，会不会超限。
然则后头作念FOC罢休的话，就需要全时监控电流波形。咱们需要明晰。
开关搅扰#上头分析是生机情况，然则由于mosfet的寄生电容（米勒效应）与回路中电感身分存在，栅极电阻取值问题，波形愈加复杂，在检流电阻高潮沿或下落沿可能存在飘扬形势。
举例：
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教会：一般条件mosfet的平台时候小于500ns（加大驱动电流和减小栅极电阻），不然管子容易发烧。但不要小于100ns，不然GS波形上会产生振铃形势。
这就对ADC采样时候作念出条件。咱们在测量电流需要闪避这个搅扰区，需要知谈搅扰区的时候和MCU输出PWM驱动信号到mosfet的延时。
系统延时是PWM输入高潮沿到mosfet的GS的平台电压的时候。大大宗电机罢休系统在2-3us。
这包含了运放延时，是以也对运放的压摆率作念出条件。
洽商占空比小的情况：三电阻采样#单电阻采样短处，因为只可在PWM-on技能采样，不成及时响应相电流，也决定了这种格局不成用于占空比小的情况：搅扰区和高电平时候不错同等看待的时候，因为只可在PWM-on技能采样，在系统延时下，PWM-on技能咱们就避不开搅扰区采样，致使采不到检流电阻上波形。 如果占空比太小需要荟萃电流，处理要领便是在每个桥臂加上检流电阻，单独荟萃每相电流。 举例：
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为什么只加入两个桥臂检流电阻？ 因为把柄基尔霍夫电流定律，每个时刻齐存在 I_U+I_V+I_W=0 是以只消知谈其中两个桥臂电流就能知谈另外一个桥臂电流。 以上桥载波，U-V相导通为例： 上桥PWM-on技能，电流流向为M1->U->V->M4->R38->R40->地，R38和R40串联电流大小和标的相同 上桥PWM-off技能，电流流向为M4->R38->R37->M2体二极管->U，R37和R38串联电流大小相同，电压标的相背，R38上正下负，R37下正上负。图片
这样就不错全时响应相电流。 固然这里仅仅按照表面画出来标明意念念性都花花世界，骨子波形没这样漂亮。
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